La mémoire RAM de 8 Go de PHS-memory est spécialement conçue pour le modèle Acer Aspire V5-531P-21174G32Mass et offre une extension de mémoire vive fiable et performante. Avec une fréquence de mémoire de 1600 MHz et le format DDR3 SO-DIMM, cette RAM est un choix idéal pour les utilisateurs souhaitant améliorer les performances de leur ordinateur portable. La capacité de 8 Go permet un multitâche fluide et améliore la vitesse globale du système, ce qui est particulièrement avantageux pour les applications gourmandes en ressources. La compatibilité avec l'Acer Aspire V5-531P-21174G32Mass garantit une installation facile et une utilisation immédiate. La RAM fonctionne avec une tension de 1,35 Volt, ce qui la rend économe en énergie tout en soutenant la stabilité du système. - 100 % compatible avec Acer Aspire V5-531P-21174G32Mass - Fréquence de mémoire de 1600 MHz pour des performances améliorées - Fonctionnement économe en énergie avec une tension de 1,35 Volt - Idéal pour le multitâche et les applications gourmandes en ressources.
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Pour Samsung Tab A9 étui 8.7 "à trois volets en cuir PU support arrière souple tablette Coque pour Galaxy Tab A9 8.7 pouces SM X110 X115 étui Funda
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La mémoire RAM de 8 Go de PHS-memory est spécialement conçue pour le modèle Asus F411UA-EB774T et offre une extension de mémoire fiable et performante. Avec une capacité de stockage de 8 Go et une fréquence d'horloge de 2400 MHz, cette mémoire DDR4 SO-DIMM permet d'améliorer les performances du système et d'exécuter les applications de manière fluide. La compatibilité avec l'Asus F411UA-EB774T garantit une installation facile et une fonctionnalité optimale. Cette mémoire est idéale pour les utilisateurs souhaitant mettre à niveau leurs appareils pour le multitâche, le gaming ou des applications exigeantes. Avec une tension de 1,2 Volt, cette RAM offre une solution économe en énergie tout en augmentant les performances. - Compatible avec Asus F411UA-EB774T - Technologie DDR4 SO-DIMM - Fréquence d'horloge de 2400 MHz - Tension économe en énergie de 1,2 Volt.
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Coque en fourrure de lapin 3D pour Samsung Galaxy, compatible modèles Note 20, S22, A7, S23 Plus, A9 2018, Note 10, 8, 9, S8, S9, S10, 5G, J4, J6, S21
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La mémoire RAM PHS-memory est une mémoire vive performante de 8 Go, spécialement conçue pour le modèle MSI Katana GF76 11UC-467XPL. Avec une fréquence de mémoire de 3200 MHz, cette RAM DDR4 SO-DIMM offre des performances optimales pour les applications exigeantes et le multitâche. La compatibilité avec le MSI Katana GF76 11UC-467XPL garantit une installation facile et un fonctionnement fiable. Cette RAM est idéale pour les utilisateurs souhaitant améliorer les performances de leur système, que ce soit pour le gaming, des applications créatives ou des tâches quotidiennes. Avec une tension de 1,2 Volt, cette mémoire vive assure une utilisation efficace de l'énergie, tandis que les 260 broches garantissent une connexion stable. Cette RAM est un excellent choix pour tous ceux qui souhaitent maximiser les performances de leur ordinateur portable. - Fréquence de mémoire de 3200 MHz pour des performances élevées - Compatible avec MSI Katana GF76 11UC-467XPL - Énergétiquement efficace avec une tension de 1,2 Volt - Format SO-DIMM pour une installation facile.
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Étui à rabat en cuir véritable pour Samsung Galaxy Note 8 9 3 4 5 Note 10 Plus 20 Ultra M33 M11 M21 M31 M51 M52
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La RAM de PHS-memory est spécialement conçue pour le modèle MSI Katana GF76 12UC-012AU et offre une capacité de stockage de 8 Go. Cette RAM DDR4 est une solution idéale pour améliorer les performances du système et garantir une exécution fluide des applications et des jeux. Avec une fréquence de mémoire de 3200 MHz, cette mémoire vive assure des taux de transfert de données rapides et une utilisation efficace des ressources. Le format SO-DIMM la rend particulièrement adaptée aux ordinateurs portables et aux systèmes compacts. La tension de 1,2 Volt permet un fonctionnement économe en énergie, ce qui prolonge la durée de vie de l'appareil. La compatibilité à 100 % avec le MSI Katana GF76 12UC-012AU garantit une installation facile et un gain de performance immédiat. - Capacité de stockage de 8 Go pour des performances améliorées - RAM DDR4 avec une fréquence de mémoire de 3200 MHz - Format SO-DIMM pour ordinateurs portables et systèmes compacts - Tension économe en énergie de 1,2 Volt.
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Coque arrière en plastique ultra mince de 0.8mm, étui pour Samsung Galaxy S10E S10 E S10 Plus S8 S9 Plus Note 8 9 Note 10 Plus 256
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DIN 912 10.9 Vis à tête cylindrique à six pans creux - Dimensions : M 8 x 18 UE=S (200 pièces) Autres caractéristiques techniques : - Code de groupe 00912.100 Quantité de contenu : 200 pièces par carton.
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Étui portefeuille en cuir de luxe pour Samsung Galaxy S7 Edge S8 S9 Plus S10E S20 FE Note 8 9 10 Note 20, housse de support de téléphone Ultra rabattable
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Sangle en nylon tissée douce avec fermeture Velcro pour une longueur de sangle flexible et une fermeture rapide. Barrette à ressort à changement rapide permettant un changement de sangle facile. Largeur de sangle standard de 20 mm. Compatible avec la série Galaxy Watch4.
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Samsung Galaxy S21 Ultra 5G G998U1 reconditionné, 6.8 pouces, AMOLED, 12 go + 128/256/512 go, Snapdragon, NFC, pour smartphone, excellente condition
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