Le 2N7000BU est un MOSFET avancé à mode d'amélioration à canal N à petit signal produit à l'aide de la technologie DMOS à haute densité cellulaire. Il minimise la résistance à l'état passant tout en offrant des performances de commutation robustes, fiables et rapides. Il peut être utilisé dans la plupart des applications nécessitant jusqu'à 400 mA CC et peut fournir des courants pulsés jusqu'à 2 A. Il est particulièrement adapté aux applications basse tension et faible courant, telles que les pilotes de grille MOSFET de puissance et autres applications de commutation. Nous sommes fiers de nous assurer que chaque client est satisfait avant, pendant et une fois la vente terminée. Si vous avez des questions sur l'un de nos articles à vendre ou toute commande que vous avez passée, veuillez nou.
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